Calculated adiabatic combustion temperature Та, K | 6500 | - | - | - | - | - | 5100 | - | 7700 | 5700 | - | - | 7400 | - | - | 4100 | ||
Degree of transformation, α | 1650 K | Р = 1.33 Pa | 0.724 | 3・10-3 | 0.996 | 0.684 | 0.949 | 1.6・10-12 | 0.995 | 2・10-6 | 0.999 | 2.7・10-3 | 0.887 | 0.916 | 0.944 | 0.998 | 0.026 | 0.699 |
Р = 1.33 × 103 Pa | 0.999 | 0.621 | 0.999 | 0.684 | 0.949 | 0.465 | 1 | 0.534 | 1 | 0.965 | 0.999 | 0.999 | 0.995 | 1 | 0.995 | 0.999 | ||
1500 K | Р=1.33 Pa | 0.986 | 0.36 | 0.99 | 0.762 | 0.953 | 3・10-3 | 1 | 1.8・10-3 | 1 | 0.354 | 0.989 | 0.992 | 0.994 | 1 | 0.844 | 0.983 | |
Р = 1.33 × 103 Pa | 0.999 | 0.887 | 0.999 | 0.762 | 0.953 | 0.962 | 1 | 0.959 | 1 | 0.995 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0.999 | 1 | ||
Gibbs free energy, ∆G, J/mole | ∆GТ = ?3.618 × 105 + 146.834 ・ Т | ∆GТ = ?1.753 × 105 + 86.598 ・ Т | ∆GТ = ?2.687 × 105 + 76.232 ・ Т | ∆GТ = ?5.371 × 104 + 26.148 ・ Т | ∆GТ = ?1.118 × 104 + 17.579 ・ Т | ∆GТ = ?2.724 × 105 + 138.144 ・ Т | ∆GТ = ?3.928 × 105 + 135.582 ・ Т | ∆GТ = ?3.06 × 105 + 168.428 ・ Т | ∆GТ = ?3.596 × 105 + 112.102 ・ Т | ∆GТ = ?2.574 × 105 + 113.112 ・ Т | ∆GТ = ?3.173 × 105 + 117.761 ・ Т | ∆GТ = ?3.149 × 105 + 116.513 ・ Т | ∆GТ = ?2.954 × 105 + 101.568 ・ Т | ∆GТ = ?4.201 × 105 + 143.046 ・ Т | ∆GТ = ?2.695 × 105 + 103.647 ・ Т | ∆GТ = ?3.428 × 105 + 136.022 ・ Т | ||
Chemical reaction equation | SiCl(г) + ¾C(т) → ¾ SiC(т) + SiCl4(г) | SiCl(г) + ½ Ni(т) ↔ ½ NiCl2(г) + Si(т) | SiCl(г) + ½ Ni(т) → ½ NiSi(ж) + ½ SiCl2(г) | SiCl(г) + 2 Ni(т) ↔ NiSi(ж) + NiCl(г) | SiCl(г) + ¾ Ni(г) ↔ ½ NiSi2(ж) + NsCl(г) | SiCl(г) + 7/10 W(т) ↔ ½ Wsi2(т) + 1/5 WCl5(г) | SiCl(г) + 3/8 Hf(т) → 3/8 HfSi2(т) + ¼ SiCl4(г) | BCl(г) + 4/3W(т) ↔ 2/3 W2B(т) + 1/3 BCl3(г) | BCl(г) + 1/3 Hf(т) ↔ 1/3 HfB2(т) + 1/3 BCl3 | BCl(г) + 1/6 C(т) ↔ 1/6 B4C(т) + 1/3 BCl3(г) | BCl(г) + 8/9 Ni(т) ↔ 2/9 Ni4B3(т) + 1/3 BCl3(г) | BCl(г) + 2/3 Ni(т) ↔ 2/3 NiB(т) + 1/3 BCl3(г) | BCl(г) + 2/3 W(т) → 2/3 WB(т) + 1/3 BCl3(г) | HfCl(г) + ¾ C(т) → ¾ HfC(т) + ¼ HfCl4(г) | BCl(г) + 5/4 W(т) → WB(т) + ¼ WCl4(г) | SiCl(г) + 3/8 W(т) → 3/8 Wsi2(т) + ¼ SiCl4(г) | ||
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