Calculated adiabatic combustion temperature Та, K

6500

-

-

-

-

-

5100

-

7700

5700

-

-

7400

-

-

4100

Degree of transformation, α

1650 K

Р = 1.33 Pa

0.724

3・10-3

0.996

0.684

0.949

1.6・10-12

0.995

2・10-6

0.999

2.7・10-3

0.887

0.916

0.944

0.998

0.026

0.699

Р = 1.33 × 103 Pa

0.999

0.621

0.999

0.684

0.949

0.465

1

0.534

1

0.965

0.999

0.999

0.995

1

0.995

0.999

1500 K

Р=1.33 Pa

0.986

0.36

0.99

0.762

0.953

3・10-3

1

1.8・10-3

1

0.354

0.989

0.992

0.994

1

0.844

0.983

Р = 1.33 × 103 Pa

0.999

0.887

0.999

0.762

0.953

0.962

1

0.959

1

0.995

1

1

1

1

0.999

1

Gibbs free energy, ∆G, J/mole

∆GТ = ?3.618 × 105 + 146.834 ・ Т

∆GТ = ?1.753 × 105 + 86.598 ・ Т

∆GТ = ?2.687 × 105 + 76.232 ・ Т

∆GТ = ?5.371 × 104 + 26.148 ・ Т

∆GТ = ?1.118 × 104 + 17.579 ・ Т

∆GТ = ?2.724 × 105 + 138.144 ・ Т

∆GТ = ?3.928 × 105 + 135.582 ・ Т

∆GТ = ?3.06 × 105 + 168.428 ・ Т

∆GТ = ?3.596 × 105 + 112.102 ・ Т

∆GТ = ?2.574 × 105 + 113.112 ・ Т

∆GТ = ?3.173 × 105 + 117.761 ・ Т

∆GТ = ?3.149 × 105 + 116.513 ・ Т

∆GТ = ?2.954 × 105 + 101.568 ・ Т

∆GТ = ?4.201 × 105 + 143.046 ・ Т

∆GТ = ?2.695 × 105 + 103.647 ・ Т

∆GТ = ?3.428 × 105 + 136.022 ・ Т

Chemical reaction equation

SiCl(г) + ¾C(т) → ¾ SiC(т) + SiCl4(г)

SiCl(г) + ½ Ni(т) ↔ ½ NiCl2(г) + Si(т)

SiCl(г) + ½ Ni(т) → ½ NiSi(ж) + ½ SiCl2(г)

SiCl(г) + 2 Ni(т) ↔ NiSi(ж) + NiCl(г)

SiCl(г) + ¾ Ni(г) ↔ ½ NiSi2(ж) + NsCl(г)

SiCl(г) + 7/10 W(т) ↔ ½ Wsi2(т) + 1/5 WCl5(г)

SiCl(г) + 3/8 Hf(т) → 3/8 HfSi2(т) + ¼ SiCl4(г)

BCl(г) + 4/3W(т) ↔ 2/3 W2B(т) + 1/3 BCl3(г)

BCl(г) + 1/3 Hf(т) ↔ 1/3 HfB2(т) + 1/3 BCl3

BCl(г) + 1/6 C(т) ↔ 1/6 B4C(т) + 1/3 BCl3(г)

BCl(г) + 8/9 Ni(т) ↔ 2/9 Ni4B3(т) + 1/3 BCl3(г)

BCl(г) + 2/3 Ni(т) ↔ 2/3 NiB(т) + 1/3 BCl3(г)

BCl(г) + 2/3 W(т) → 2/3 WB(т) + 1/3 BCl3(г)

HfCl(г) + ¾ C(т) → ¾ HfC(т) + ¼ HfCl4(г)

BCl(г) + 5/4 W(т) → WB(т) + ¼ WCl4(г)

SiCl(г) + 3/8 W(т) → 3/8 Wsi2(т) + ¼ SiCl4(г)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16